
二极管是最基础的半导体器件,由P型和N型半导体材料构成,具有单向导电特性。当正向电压超过阈值(通常为0.6–0.7V)时导通,反向则截止。
齐纳二极管(Zener Diode)是特殊设计的二极管,利用雪崩击穿或齐纳效应在反向电压达到特定值时稳定导通,常用于电压稳压电路中。
肖特基二极管(Schottky Diode)采用金属-半导体结结构,其显著特点是正向压降低(约0.15–0.45V),且开关速度极快,适用于高频和低功耗场景。
| 参数 | 普通二极管 | 齐纳二极管 | 肖特基二极管 |
|---|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 0.6–0.7V | 0.7V左右(反向稳压) | 0.15–0.45V |
| 反向击穿电压 | 较高(如100–1000V) | 可调范围广(2.4V–200V) | 较低(一般低于60V) |
| 开关速度 | 中等 | 较慢 | 极快(纳秒级) |
| 反向漏电流 | 较小 | 较大(尤其高功率) | 相对较大 |
普通二极管:广泛应用于整流电路、信号检波、电源保护等基础电子系统中,如手机充电器、家用电器电源模块。
齐纳二极管:主要用于电压参考源、过压保护、稳压电路。例如在微控制器供电电路中提供稳定的基准电压。
肖特基二极管:常见于高频开关电源(如DC-DC转换器)、太阳能逆变器、电池充电管理电路,因其低功耗和高速响应,特别适合高效能电源设计。
在实际工程设计中,应根据具体需求选择合适的二极管类型: